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首页产品中心功率MOSFET高压平面MOSMOT7N60D
MOT7N60D
MOT7N60D
MOT7N60D是广东仁懋电子有限公司制造的一款VD MOSFET，具有更好的雪崩能力、更优的EMI兼容性以及抗冲击能力。
产品概览
MOT7N60D是一款VD MOSFET，采用业界优良的平面技术设计制造而成，具有较低的导通损耗和开关损耗，适用于各类开关电源应用。
规格书下载
产品特性
  • 耐压
    VDS=600V
  • 导通电阻
    R=1.1Ω
  • 栅极阈值电压
    Vth 2V-4V
  • 最大漏极电流
    ID=7A
应用领域
应用于工业领域的UPS、电动汽车、通信电源和消费领域的LED照明、适配器、TV电源和PC电源等领域
  • 地址：广东省深圳市罗湖区桂园街道深城投中心大厦19楼
  • 电话：+86-755-82527851
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