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首页产品中心功率MOSFET高压平面MOSMOT4N65F
MOT4N65F
MOT4N65F
MOT4N65F是广东仁懋电子有限公司制造的一款VD MOSFET，具有更好的雪崩能力、更优的EMI兼容性以及抗冲击能力。
产品概览
MOT4N65F是一款VD MOSFET，采用业界优良的平面技术设计制造而成，具有较低的导通损耗和开关损耗，适用于各类开关电源应用。
规格书下载
产品特性
  • 耐压
    VDS=650V
  • 导通电阻
    R=2.4Ω
  • 栅极阈值电压
    Vth 2V-4V
  • 最大漏极电流
    ID=4A
应用领域
应用于工业领域的UPS、电动汽车、通信电源和消费领域的LED照明、适配器、TV电源和PC电源等领域
  • 深圳总部：广东省深圳市罗湖区桂园街道深城投中心大厦19楼
  • 惠州基地：惠州仲恺⾼新区6号(广东芯组合）
  • 江苏基地：江苏省盐城市亭湖区太湖路33号鸿石智能产业园（江苏芯组合）
  • 联系电话：+86-755-82527851
  • 联系手机：+86 13925242151
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