中文
中文
English
首页
关于我们
产品中心
应用领域
品质技术
联系我们
首页产品中心功率MOSFET中低压Trench SGT MOSMOT55N06B
MOT55N06B
MOT55N06B
MOT55N06B是广东仁懋电子有限公司制造的一款中压大功率N-Channel MOS管，具有低内阻、ID电流大，大封装尺寸，提供低的RDS(ON)和低栅极电荷。
产品概览
MOT55N06B是一款低压大功率N MOS，VDS电压60V，ID电流55A，先进的沟槽技术以提供优异的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压，以及低开启电压的操作，且性价比高等特点，主要应用于节能灯具，DC开关电源，马达电机模组产品。
规格书下载
产品特性
  • 额定电压
    VDS:60V
  • 额定电流
    ID：55A
  • 内阻
    RDS：17mΩ Typ@VGS=10V
  • 开启电压
    VGS(th)：3V Typ
  • 门极电荷
    Qg：36nC Typ@VDS=30V
  • 输入电容
    Ciss：2498pF@VDS=25V
应用领域
可应用于充电器电源、适配器、无线充、车充、移动电源等领域
  • 地址：广东省深圳市罗湖区桂园街道深城投中心大厦19楼
  • 电话：+86-755-82527851
仁懋电子公众号

仁懋电子公众号

Copyright © 2024广东仁懋电子有限公司 粤ICP备2022065757号
Powered by vancheer