仁懋电子推出的新一代 SiC MOSFET 系列，凭借宽禁带材料的先天优势，为光储逆变器与充电桩注入强劲的“芯”动力。 

突破硅极限，耐高压与高温

仁懋SiC MOSFET具备极高的击穿电场强度，提供750V/800V/900V/1200V等高压系列。在高温环境下，其导通电阻温升极小，有效降低散热系统成本。相比传统Si器件，能够大幅简化电路拓扑，赋能系统在极端工况下依然稳定运行。

极低开关损耗，提升系统效率

得益于极低的栅极电荷（Qg）与输出电容（Coss），器件支持更高的开关频率（可达数百 kHz）。这不仅显著降低了开关损耗，提升整机转换效率（最高可提升 2%-3%），还能大幅缩小磁性元件（电感、变压器）的体积，提升功率密度。

开尔文源极封装，兼顾 EMI 与可靠性。

采用 TO-247-4L 等先进封装，引入开尔文源极连接，有效降低封装寄生电感。这使得器件在极速开关时，依然能保持良好的栅极信号完整性，大幅降低电压过冲与 EMI 辐射，全面保障电路可靠性。

理想之选，赋能新能源

无论是组串式光伏逆变器、储能变流器（PCS）还是直流快充桩，仁懋 SiC MOSFET 都能以超高效率、高可靠性与小体积，助力您的产品实现性能跃升！