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企业新闻
2023.09.09
仁懋总经理窦静女士聊深圳制造业产业腾飞之路
过去40年,中国制造经历了多次演进,从劳动密集型到技术密集型,而深圳一直处于制造业变革的前沿。近三年,国内外不确定因素急剧增加,但深圳制造业却逆市上扬,坚持工业立市、制造强市的战略。作为深耕于制造领域的工业企业之一,广东仁懋电子有限公司一直致力于为全球电子制造企业提供优质的半导体元器件产品,并坚持自主研发制造,解决各项卡脖子技术,打破国外技术壁垒,助推碳化硅汽车芯片的国产化。
2023.07.24
喜报丨仁懋电子荣获国家级专精特新“小巨人”企业称号
近日,仁懋电子凭借在半导体行业的快速发展与综合实力,通过了国家工业和信息化部公布的第五批国家级专精特新“小巨人”企业认定。仁懋电子成功获得国家级企业资质,这不仅体现了其企业综合实力,也是对仁懋电子在半导体功率器件领域的创新能力、核心技术、市场应用等方面综合实力的高度肯定。
2026.01.30
一颗仁懋80N03D MOS管,看BMS保护板的设计智慧
作为一名常年与电池管理系统打交道的应用工程师,每当审视一块BMS板(如图中这款3-4串200A)的物料清单时,我首先关注的不是最显眼的MCU,而是那些默默承担着“安全闸门”角色的功率MOSFET。今天,我们就以其中可能大量使用的一款经典器件——仁懋80N03D为例,剖析一颗看似普通的MOS管,如何成为BMS可靠运行的基石,以及它在BOM选型中的深层考量。
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2026.01.31
什么是MOSFET阈值电压
阈值电压Vth是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)从关断状态切换到导通状态所需的最小栅极电压。简单来说,就是让MOS管这个"电子开关"开始导通的门槛电压。
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2026.01.19
MOT3617G助力筋膜枪性能飞跃
MOT3617G其N沟道Id=30A,P沟道Id=-20A持续电流和120A脉冲电流能力,为筋膜枪的极端工况(如高推力模式、低温/高温环境使用)提供了充足的设计冗余。同时,±20V V的宽栅压范围、81mJ(N沟道)/110mJ(P沟道)的雪崩能量(E),可有效抵御电压尖峰和浪涌冲击,降低器件失效风险,提升筋膜枪的使用寿命。
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2026.01.15
关于半SJ mos
基于日益增加的高功率应用场景需要耐压电压以及降低Ron,sp需求,为此SJ-MOSFET正面临着工艺成本与器件参数之间的取舍与平衡,更高的BVDSS意味着需要更长更个厚的P柱和N柱。SJ mos的工艺步骤的总数和整体工艺复杂性等等也随着BVDSS的增加而增加。
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深圳总部:广东省深圳市罗湖区桂园街道深城投中心大厦19楼
惠州基地:惠州仲恺⾼新区6号(广东芯组合)
江苏基地:江苏省盐城市亭湖区太湖路33号鸿石智能产业园(江苏芯组合)
联系电话:+86-755-82527851
联系手机:+86 13925242151
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