首页
关于我们
产品中心
应用领域
品质技术
联系我们
中文
中文
English
公司介绍
发展历程
企业荣誉
企业新闻
加入我们
功率MOSFET
功率二极管
小信号晶体管&二极管
SiC & GaN
功率三极管
稳压二极管
IC
电源
工业
新能源
家电
消费电子
技术资源
品质文件
可靠性测试
首页
关于我们
公司介绍
发展历程
企业荣誉
企业新闻
加入我们
产品中心
功率MOSFET
功率二极管
小信号晶体管&二极管
SiC & GaN
功率三极管
稳压二极管
IC
应用领域
电源
工业
新能源
家电
消费电子
品质技术
技术资源
品质文件
可靠性测试
联系我们
企业新闻
2023.09.09
仁懋总经理窦静女士聊深圳制造业产业腾飞之路
过去40年,中国制造经历了多次演进,从劳动密集型到技术密集型,而深圳一直处于制造业变革的前沿。近三年,国内外不确定因素急剧增加,但深圳制造业却逆市上扬,坚持工业立市、制造强市的战略。作为深耕于制造领域的工业企业之一,广东仁懋电子有限公司一直致力于为全球电子制造企业提供优质的半导体元器件产品,并坚持自主研发制造,解决各项卡脖子技术,打破国外技术壁垒,助推碳化硅汽车芯片的国产化。
2023.07.24
喜报丨仁懋电子荣获国家级专精特新“小巨人”企业称号
近日,仁懋电子凭借在半导体行业的快速发展与综合实力,通过了国家工业和信息化部公布的第五批国家级专精特新“小巨人”企业认定。仁懋电子成功获得国家级企业资质,这不仅体现了其企业综合实力,也是对仁懋电子在半导体功率器件领域的创新能力、核心技术、市场应用等方面综合实力的高度肯定。
2025.11.14
仁懋电子期待您的莅临!
了解详情 >
2025.11.07
大功率MOS管驱动设计中的米勒效应分析与仁懋解决方案
在大功率MOS管驱动电路设计中,米勒效应是一个不可忽视的关键问题。这一现象本质上是由MOS管固有的栅漏电容(Cgd)引起的物理特性,任何存在Cgd的MOS管都会表现出不同程度的米勒效应。
了解详情 >
2025.10.31
MOTA618D产品特点及应用优势
启动电流低至<5uA 内置BJT耐压高达800V 芯片能效可达6级,待机能效仅有75mW 通过外设调整Cable线损补偿(68/45uA) 内置前沿消隐(350ns)
了解详情 >
2025.10.22
功率MOSFET在电源板上参数解读
栅极可承受的最大电压范围,在任何条件下,必须保证其接入的电压必须在规格范围内。MOSFET的栅极也是MOSFET最薄弱的地方。
了解详情 >
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
加载更多
深圳总部:广东省深圳市罗湖区桂园街道深城投中心大厦19楼
惠州基地:惠州仲恺⾼新区6号(广东芯组合)
江苏基地:江苏省盐城市亭湖区太湖路33号鸿石智能产业园(江苏芯组合)
联系电话:+86-755-82527851
联系手机:+86 13925242151
关于我们
公司介绍
发展历程
企业荣誉
企业新闻
加入我们
产品中心
功率MOSFET
功率二极管
小信号晶体管&二极管
SiC & GaN
功率三极管
稳压二极管
IC
应用领域
电源
工业
新能源
家电
消费电子
品质技术
技术资源
品质文件
可靠性测试
仁懋电子公众号
Copyright © 2024广东仁懋电子有限公司
粤ICP备2022065757号
Powered by vancheer
立即咨询